ГОСТ Р 57435-2017 Микросхемы интегральные. Термины и определения
Текст ГОСТ Р 57435-2017 Микросхемы интегральные. Термины и определения
ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ТЕХНИЧЕСКОМУ РЕГУЛИРОВАНИЮ И МЕТРОЛОГИИ
МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ
Термины и определения
ГОСТ Р 57435—2017
Предисловие1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом «Российский научно-исследовательский институт «Элвктронстандарт» (АО «РНИИ «Элвктронстандарт»), Акционерным обществом «Центральное конструкторское бюро «Дейтон» (АО «ЦКБ «Дейтон»), Акционерным обществом «Научно-исследовательский институт микроэлектронной аппаратуры «Прогресс» (АО «НИИМА «Прогресс»)
2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 «Электронная компонентная база, материалы и оборудование»
3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 4 апреля 2017 г. № 248-ст
4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ
Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. No 162-ФЗ «О стандартизации в Российской Федерации». Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе «Национальные стандарты», а официальный текст изменений и поправок — в ежемесячном информационном указателе «Национальные стандарты». В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске информационного указателя «Национальные стандарты». Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользователя — на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет ()
Настоящий стандарт не может быть полностью или частично воспроизведен, тиражирован и распространен в качестве официального издания без разрешения Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии
ГОСТ Р 57435—2017
ВведениеУстановленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий вобласти интегральных микросхем.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Заключенная в круглые скобки часть термина может быть опущена при его использовании. Часть термина вне круглых скобок образует его краткую форму. Краткая форма может быть также представлена аббревиатурой.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткие формы — светлым.
Наличие квадратных скобок в терминологической статье означает, что в нее включены два (три. четыре и т. л.) термина, имеющие общие терминоэлементы.
8 алфавитном указателе данные термины размещены отдельное указанием номера статьи.
8 стандарте приведены эквиваленты стандартизованных терминов на английском языке.
ГОСТ Р 57435—2017
НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ Термины и определения Integrated circuits, terms and definitions
Дата введения — 2017—08—01
1 Область примененияНастоящий стандарт устанавливает термины и определения основных понятий интегральных микросхем.
Термины, установленные настоящим стандартом, применяют во всех видах документации и лите* ратуры. входящих в сферу действия работ по стандартизации и (или) использующих результаты этих работ.
Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке. производстве и применении микросхем в соответствии с действующим законодательством.
2 Термины и определения1 (интегральная) микросхема: Микроэлектронное изделие, состоящее из сово- integrated circuit купности элементов (компонентов), электрически соединенных или не соединен*
ных между собой в объеме и (или) на поверхности подложки (кристалла), и предназначенное для выполнения заданной функции.
2 элемент (микросхемы): Часть микросхемы, реализующая функцию какого* circuit element либо изделия электронной техники, которая выполнена нераэдельноот кристалла
и не может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации.
Примечание — К изделиям электронной техники относят полупроводниковые приборы. резисторы, конденсаторы, микроустройства и др.
3 компонент (микросхемы): Часть гибридной микросхемы, реализующая задан- circuit component кую функцию какого-либо изделия электронной техники, которая может бытьвыде-
лена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации.
Примечание — Компоненты могут содержать совокупность элементов или (и) микросхем в бескорлусном исполнении и др.
4 кристалл (полупроводниковой микросхемы): Часть полупроводниковой die; пластины, в объеме и (или) на поверхности которой сформированы элементы chip полупроводниковой микросхемы, межэлементные соединения и контактные площадки.
ГОСТ Р 57435—2017
5 подложка (микросхемы): Несущая конструкция, в объеме или на поверхности которой формируют элементы, межэлементные и межкомпонентные соединения, контактные площадки и монтируют компоненты.
6 пластина (микросхемы): Заготовка из полупроводникового материала, пред* назначенная для изготовления полупроводниковых микросхем.
7 контактная площадка (микросхемы): Металлизированный участок на лодлож* ке или кристалле, основании корпуса, предназначенный для присоединения элементов и кристаллов к выводам микросхемы или для контроля электрических параметров.
8 корпус (микросхемы): Совокупность сборочных единиц и (или) деталей, пред* назначенных для обеспечения защиты микросхемы отвнешних воздействий, обес* печения теплопередачи, атакжедляорганизацииэлектрическихсвяэейэлементов и (или) компонентов с внешними электрическими цепями.
9 полупроводниковая микросхема: Микросхема, все элементы и межэле* ментные соединения которой выполнены в объеме и (или) на поверхности крис* тапла.
10 гибридная микросхема: Микросхема, содержащая компоненты или совокул* ность компонентов и элементов.
11 мкогокристальиый модуль: Гибридная микросхема, состоящая из двух или более полупроводниковых микросхем в бесхорпусном исполнении, смонтирован* ных в общий корпус.
12 пленочная микросхема: Микросхема, все элементы которой выполнены в виде пленок на поверхности подложки.
13 аналоговая микросхема: Микросхема, предназначенная для преобразоеа* ния и (или) обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной или преры* вистойфункции.
14 цифровая микросхема: Микросхема, предназначенная для преобразования и (или) обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции.
15 бескорпусная микросхема: Микросхема, конструктивно выполненная в виде кристалла (или совокупности кристаллов, сформированных на пластине без раз* деления), с выводами или с контактными площадками, предназначенная для монтажа в корпус или другие сборочные единицы.
16 базовый кристалл (микросхемы), БК: Часть полупроводниковой пластины с определенным набором сформированных электрически соединенных или несое* диненных между собой элементов или стандартных ячеек, используемая для создания микросхем заданного функционального назначения путем изготовления межэлементных соединений.
17 базовый матричный кристалл (микросхемы). БМК: Базовый кристалл с регулярным расположением сформированных в нем элементов и (или) узлов.
18 микросхема общего применения: Микросхема, разработанная для примене* ния в различных видах радиоэлектронной аппаратуры.
19 специализированная микросхема: Микросхема, разработанная по конкрет* ному заказу или разработанная потребителем для применения в конкретной радиоэлектронной аппаратуре.
Примечание — Специализированные микросхемы разрабатывают, как правило, с участием потребителя.
20 микросхема К*степени интеграции: Микросхема, содержащая от (1 +10 к ’') до 10 х элементов включительно.
21 степень интеграции (микросхемы): Показатель степени сложности микрос* хемы. характеризуемый числом содержащихся в ней элементов.
Примечание — Степень интеграции полупроводниковой микросхемы определяют по формуле: К * IgN.
где К— коэффициент, определяющий степень интеграции, значение которого округляют до ближайшего большего целого числе: